Um grupo de investigadores da Universidade de Fudan em Xangai, na China, criou um dispositivo de memória RAM de nova geração capaz de realizar 25 mil milhões de operações por segundo.
Este dispositivo (ainda experimental) recebeu o nome de PoX e é 10 mil vezes mais rápido do que a memória que costuma ser encontrada na maioria dos computadores portáteis. Como conta o site BGR, o PoX recorre a grafeno ao invés do mais tradicional silício para se tornar mais indicado para as tarefas mais intensivas de aplicações de Inteligência Artificial (IA).
A equipa partilhou as suas descobertas num estudo publicado pela revista Nature mas, de momento, ainda não há detalhes a propósito do desempenho a longo-prazo ou da viabilidade de produção em massa.
Assim sendo, apesar de se tratar de uma tecnologia altamente promissora, teremos de esperar por mais detalhes a respeito da eventual chegada ao mercado.
